发明名称 |
脉冲沉积与再结晶以及利用结晶化/非晶物质的堆叠式太阳能电池设计 |
摘要 |
本发明揭示一种使材料在基板上沉积且结晶的方法。在一特定实施例中,所述方法可包含产生含有与沉积相关的物质以及携带能量的物质的电浆。在第一时间段期间,无偏压电压施加于所述基板,且物质经由电浆沉积而沉积于所述基板上。在第二时间段期间,电压施加于所述基板,所述电压吸引离子且吸引至所述沉积物质中,从而引起所述沉积层结晶。可重复所述程序直至获得足够厚度。在另一实施例中,可改变所述偏压电压或偏压脉冲的持续时间以改变所发生的结晶化程度。在另一实施例中,可使用掺杂剂掺杂所述沉积层。 |
申请公布号 |
CN102576655A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201080040505.0 |
申请日期 |
2010.08.11 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
海伦·L·梅纳德;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯;维克拉姆·辛;克里斯多夫·R·汉特曼;卢多维克·葛特 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种使材料在基板上生长的方法,其包括:提供电浆腔室,其中所述电浆腔室包括用以自供给气体产生电浆的天线;将所述基板置放于所述电浆腔室中的压板上,可对所述压板加偏压到多个电压;向所述电浆腔室供给第一物质;向所述电浆腔室供给第二物质;进行电浆沉积期,其中来自第一物质的材料在第一操作条件下沉积于所述基板上;以及在第二操作条件下进行离子植入期,其中所述第二物质的离子植入在所述电浆沉积期期间沉积的所述材料中。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 |