太阳能电池的制造方法及太阳能电池的制造装置

摘要

本发明制造能量转换效率高的太阳能电池。将在作为P型层的多晶硅基板上形成的成为n型层多晶硅层的表层，使用等离子体进行氧化处理，然后利用CVD处理堆积硅氮化膜，由此在多晶硅层的表层形成钝化膜。使用10eV以下的鞘层电位的等离子体，在压力是6.67Pa～6.67×102Pa的范围、温度是200℃～600℃的范围的条件下进行这种等离子体氧化处理。激发等离子体的微波通过缝隙天线被提供给处理容器内，通过微波的表面波生成等离子体。

主权项

一种太阳能电池的制造方法，其中，包括：使用具有10eV以下的鞘层电位的等离子体使硅层的表层氧化、氮化或氮氧化，在所述硅层的表层形成钝化膜的工序，在所述硅层的表层所形成的钝化膜上，通过CVD处理形成氧化膜、氮化膜或氮氧化膜，并进一步形成钝化膜，在使所述硅层的表层氮氧化而形成钝化膜的情况下，在所述CVD处理时，将含有氧和氮的处理气体导入到处理容器内，使该导入的处理气体的氮相对氧的比率逐渐地增加，以使钝化膜中的氮原子含有率在堆积方向上逐渐地增加。