| 发明名称 | 一种金属氧化物半导体场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本实用新型的实施例公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，包括：源极区；栅极区；漏极区；以及具有第一掺杂类型的体区，该体区包括阶梯形掺杂区，其中，阶梯形掺杂区的掺杂浓度高于体区上表面的掺杂浓度，该阶梯形掺杂区包括：第一掺杂区，位于栅极区下方；第二掺杂区，位于源极区和漏极区下方；其中，第一掺杂区比第二掺杂区的深度浅，更靠近体区的上表面。 | ||
| 申请公布号 | CN202332858U | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201120453914.5 | 申请日期 | 2011.11.16 |
| 申请人 | 成都芯源系统有限公司 | 发明人 | 唐纳德·迪斯尼 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体场效应晶体管包括：源极区；栅极区；漏极区；以及具有第一掺杂类型的体区，该体区包括阶梯形掺杂区，其中阶梯形掺杂区的掺杂浓度高于体区上表面的掺杂浓度，该阶梯形掺杂区包括：第一掺杂区，位于栅极区下方；第二掺杂区，位于源极区和漏极区下方；其中，第一掺杂区比第二掺杂区的深度浅，更靠近体区的上表面。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西区科新路8号 | ||