| 发明名称 | 在磷化铟衬底上制备T型栅的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种在磷化铟衬底上制备T型栅的方法包括A、清洗外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷HMDS蒸发在清洗后外延片上；B、在外延片上匀第一层电子束胶ZEP520A，前烘；C、在所述第一层电子束胶ZEP520A上匀第二层电子束胶PMGI，前烘；D、在所述第二层电子束胶PMGI上匀第三层电子束胶PMMA，前烘；E、将上述匀有三层束胶层的外延片进行电子束曝光；F、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影；G、对上述显影后的外延片腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。根据本发明提供的在磷化铟衬底上制备T型栅的方法可制作更小尺寸的栅线条，且存在容易去胶，工艺简单，可靠性强等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102569047A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010578372.4 | 申请日期 | 2010.12.07 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 黄杰;郭天义;张海英;杨浩 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种在磷化铟衬底上制备T型栅的方法，其特征在于，包括以下步骤：A、清洗外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷HMDS蒸发在清洗后外延片上；B、在外延片上匀第一层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在所述第一层电子束胶ZEP520A上匀第二层电子束胶PMGI，然后前烘；D、在所述第二层电子束胶PMGI上匀第三层电子束胶PMMA，然后前烘；E、将上述匀有三层束胶层的外延片进行电子束曝光； F、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影；G、对上述显影后的外延片腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||