| 发明名称 | 布线层、半导体装置、具有半导体装置的液晶显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种不从氧化物薄膜剥离并且铜原子不扩散到氧化物薄膜中的电极膜。由作为Cu-Mg-Al的薄膜的高紧贴性阻挡膜（37）和铜薄膜（38）构成布线层，使高紧贴性阻挡膜（37）与氧化物薄膜接触。对于高紧贴性阻挡膜（37）来说，在将铜、镁、铝的总计原子数设为100at％时，若在0.5at％以上且5at％以下的范围含有镁、在5at％以上且15at％以下的范围中含有铝，则兼顾紧贴性和阻挡性，得到附着力强、铜原子不扩散的布线层（50a、50b）。 | ||
| 申请公布号 | CN102576675A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201080048436.8 | 申请日期 | 2010.10.21 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 高泽悟;白井雅纪;石桥晓 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种在氧化物薄膜上配置并被构图的布线层，其中，所述布线层具有与所述氧化物薄膜接触的高紧贴性阻挡膜和在所述高紧贴性阻挡膜上配置的铜薄膜，所述高紧贴性阻挡膜含有铜、镁、铝，在将铜、镁、铝的总计原子数设为100at％时，镁的含有率为0.5at％以上且5at％以下的范围、铝的含有率为5at％以上且15at％以下的范围。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||