发明名称 |
一种钨单晶的制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种钨单晶的制备方法,该方法是在熔融盐中通过电化学法制备钨单晶的:以熔融的Na2WO4与WO3为熔盐介质,在700到1000摄氏度的空气气氛下,将高纯多晶钨板作为对电极,一般性金属如铜、钢或非金属如石墨等为单晶生长的基体,同时也作为工作电极,然后施加电流,通过调整电流和电镀时间获得钨单晶。本发明工艺方法简单、设备要求简单,操作方便,成本低廉,合成条件易于控制。 |
申请公布号 |
CN102560618A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210047526.6 |
申请日期 |
2012.02.28 |
申请人 |
北京科技大学 |
发明人 |
张迎春;刘艳红 |
分类号 |
C30B9/14(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I |
主分类号 |
C30B9/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 |
代理人 |
皋吉甫 |
主权项 |
一种钨单晶的制备方法,其特征在于,所述制备在熔融盐中进行的,步骤包括:1.1熔盐介质的配置:所述熔盐介质为Na2WO3‑WO3,按照摩尔百分比,取50%~90%的Na2WO3与10%~50%的WO3充分干燥后混合均匀,放入坩埚中,在空气气氛中升温到700~1000℃;1.2单晶生长基体和对电极的表面预处理:单晶生长基体和对电极表面用不同粗细的砂纸进行表面打磨,然后抛光,获得光滑的表面,然后分别用丙酮和去离子水超声清洗,去除表面的油污和杂质;1.3在空气气氛下施加电流调整电流参数和电镀时间:施加的电流为脉冲或直流,电流范围为10mA.cm‑2~200 mA.cm‑2,电镀时间为5小时以上。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号 |