保护芯片级封装的T型接触免受潮

摘要

一种方法包括进行在封装结构上的第一芯片切割，并且包括形成在封装结构的沟槽中延伸的第一金属引线和第二金属引线，其中，所述第一金属引线和所述第二金属引线与在封装结构的装置中的接触焊盘的侧边缘接触。第一金属引线和第二金属引线通过连接金属部互相连接，进行预切割以切割连接金属部来分离第一金属引线和第二金属引线，其中，在预切割以后，连接金属部的剩余部具有边缘。在第一金属引线和第二金属引线的上方形成电介质涂层。进行芯片切割以将封装结构切割开，从而，将第一芯片和第二芯片分成分离件，在每个生成的分离件中，通过第一电介质涂层的剩余部来覆盖连接金属部的剩余部的边缘。

主权项

一种方法，包括：进行在封装结构上的第一芯片切割，所述封装结构包括：器件晶圆，包括：第一芯片，其中，所述第一芯片包括第一接触焊盘；以及第二芯片，包括第二接触焊盘；以及附接至所述装置晶圆的载具晶圆，其中，所述第一芯片切割形成在所述封装结构中的第一沟槽，并且其中，所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘的侧边缘暴露于所述第一沟槽下；形成第一金属引线和第二金属引线，所述第一金属引线和所述第二金属引线延伸入所述第一沟槽中并且分别与所述第一接触垫焊盘和所述第二接触垫焊盘的侧边缘接触，其中，通过连接金属部件相互连接所述第一金属引线和所述第二金属引线；进行预切割，切割所述连接金属部件以分离所述第一金属引线和所述第二引线，其中，在所述预切割以后，所述连接金属部件的剩余部分包括边缘；形成在所述第一金属引线和所述第二金属引线上方的第一电介质涂层；以及进行第二芯片切割以将所述封装结构切割开，其中，将所述第一芯片和所述第二芯片分别分成第一部分和第二部分，并且其中，在所述第一部分和所述第二部分中，通过所述第一电介质涂层的剩余部来覆盖所述连接金属部件的所述剩余部分的所述边缘。