一种高迁移率衬底结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高迁移率衬底结构及其制备方法，属于半导体集成技术领域。该衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、势垒层、铟镓砷单晶层、阻挡层和锗单晶层。所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上，所述势垒层置于所述缓冲层之上，所述铟镓砷单晶层置于所述势垒层之上，所述阻挡层置于所述铟镓砷单晶层之上，所述锗单晶层置于所述阻挡层之上。可以利用本发明，实现硅基衬底上高迁移率铟镓砷和锗结合的CMOS器件，或者在铟镓砷单晶层和锗单晶层上制备其它高迁移率半导体器件，该衬底结构还可以制备硅基器件以及用势垒层制备光电器件等，有利于实现多元半导体器件的单片集成，提高性能，减小功耗。

主权项

一种高迁移率衬底结构，其特征在于，该结构包括单晶硅衬底、缓冲层、势垒层、铟镓砷单晶层、阻挡层和锗单晶层；其中，所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上，所述势垒层置于所述缓冲层之上，所述铟镓砷单晶层置于所述势垒层之上，所述阻挡层置于所述铟镓砷单晶层之上，所述锗单晶层置于所述阻挡层之上。