一种用于测定硅中杂质的方法

摘要

本发明涉及一种用于测定硅中杂质的方法，其中由待测硅通过区域精制制备单晶棒；在至少一个稀释步骤中，将该单晶硅棒引入由具有限定的碳和掺杂物浓度的单晶硅或多晶硅制成的套管中，然后由单晶硅棒和套管通过区域精制而制备稀释的单晶硅棒；其中，通过光致发光法或者FTIR或者二者借助于稀释的单晶硅棒进行待测硅中的杂质的测定。即使掺杂物浓度极高，该方法仍能允许采用光致发光法量化测定掺杂元素。

主权项

一种用于测定硅中杂质的方法，其中由待测硅通过区域精制来制备单晶棒；在至少一个稀释步骤中，将该单晶硅棒引入由具有限定的碳和掺杂物浓度的单晶硅或多晶硅制成的套管中，然后由该棒和套管通过区域精制而制备稀释的单晶硅棒；其中，通过光致发光法或者FTIR或者二者借助于稀释的单晶硅棒进行所述待测硅中的杂质的测定。