| 发明名称 | Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及其制造方法以及光记录介质 | ||
| 摘要 | 一种Bi-Ge-O型烧结体溅射靶，含有铋(Bi)、锗(Ge)和氧(O)，其特征在于，Bi与Ge的原子数比为0.57＜(Bi/(Bi+Ge))＜0.92，并且含有Bi12GeO20、Bi4Ge3O12和GeO2三相作为结晶相。本发明涉及Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及其制造方法以及光记录介质，特别地提供在溅射时不产生靶的破裂，粉粒的产生少，可以稳定地制作高品质的薄膜，可以得到不产生记录位的错误的光记录介质的Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及该靶的制造方法以及光记录介质。 | ||
| 申请公布号 | CN102575339A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201080045590.X | 申请日期 | 2010.10.04 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 奈良淳史 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;G11B7/26(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种Bi‑Ge‑O型烧结体溅射靶，含有铋(Bi)、锗(Ge)和氧(O)，其特征在于，Bi与Ge的原子数比为0.57＜(Bi/(Bi+Ge))＜0.92，并且含有Bi12GeO20、Bi4Ge3O12和GeO2三相作为结晶相。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||