发明名称 | 电流体显示元件以及其操作方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种电流体显示元件以及其操作方法。所述电流体显示元件包括第一结构层与第二结构层。第一结构层有第一基板及在第一基板上的第一电极、第二电极。第二电极有一凹陷区域,非接触围绕该第一电极。第一疏水层至少设置在第二电极上。第二结构层在第一结构层的一边且相隔一间隙,包括第二基板及沟槽结构层。沟槽结构层有一凹陷沟槽对应第二电极凹陷区域。第二疏水层在该沟槽结构层上。极性流体置于凹陷沟槽中且与第一电极维持接触。非极性流体位于该第一结构层与该第二结构层间的该间隙。 | ||
申请公布号 | CN102566039A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
申请号 | CN201110026635.5 | 申请日期 | 2011.01.21 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 古昀生;郑惟元;苏珮茹;郭书玮 |
分类号 | G02B26/02(2006.01)I | 主分类号 | G02B26/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 祁建国;梁挥 |
主权项 | 一种电流体显示元件,其特征在于,所述电流体显示元件,包括:一第一结构层,包括:一第一基板;一第一电极,在该第一基板上;一第二电极,在该第一基板上,其中该第二电极有一凹陷区域,非接触围绕该第一电极;以及一第一疏水层,在该第二电极上;一第二结构层,在该第一结构层的一边,且相隔一间隙,该第二结构层包括:一第二基板;一沟槽结构层,在该第二基板上,其中该沟槽结构层有一凹陷沟槽,对应该第二电极的该凹陷区域;以及一第二疏水层,在该沟槽结构层上;一极性流体,置于该凹陷沟槽中且与该第一电极维持接触,以及一非极性流体,位于该第一结构层与该第二结构层间的该间隙,且与该极性流体构成一流体界面。 | ||
地址 | 中国台湾新竹县 |