| 发明名称 | 制造内嵌式细线路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造内嵌式细线路的方法。首先，提供包含介电层的基材。其次，以一暂时性保护层全面覆盖介电层。接着，图案化暂时性保护层，并同步于介电层中形成一沟槽。再来，形成一晶种层，以全面覆盖暂时性保护层与沟槽。然后，移除暂时性保护层，同时移除覆盖暂时性保护层的晶种层。继续，于沟槽中填入一金属层，以形成嵌入介电层中的内嵌式细线路。 | ||
| 申请公布号 | CN102573310A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201110099765.1 | 申请日期 | 2011.04.19 |
| 申请人 | 欣兴电子股份有限公司 | 发明人 | 余丞博;张启民 |
| 分类号 | H05K3/10(2006.01)I | 主分类号 | H05K3/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人 | 刘云贵 |
| 主权项 | 一种制造内嵌式细线路的方法，其特征在于，包括：提供一基材，包含一介电层；以一暂时性保护层全面覆盖所述介电层；图案化所述暂时性保护层，并同步于所述介电层中形成一沟槽；形成一晶种层，以全面覆盖所述暂时性保护层与所述沟槽；移除所述暂时性保护层，同时移除覆盖所述暂时性保护层的所述晶种层；以及于所述沟槽中填入一金属层，以形成嵌入所述介电层中的所述内嵌式细线路。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||