半导体激光元件

摘要

本发明提供一种半导体激光元件，包括由III族氮化物半导体构成的半导体层叠构造。半导体层叠构造包括：包含In的发光层；配置于该发光层的一侧的p型引导层；配置于上述发光层的另一侧的n型引导层；配置于上述p型引导层的与上述发光层相反一侧的p型包层；和配置于上述n型引导层的与上述发光层相反一侧的n型包层。半导体层叠构造包括：与c轴在上述晶体生长面上的投影矢量平行地形成的直线状的波导；和由与上述投影矢量垂直的解理面构成的一对激光谐振面。半导体层叠构造也可以由将半极性面作为晶体生长面的III族氮化物半导体构成。

主权项

一种半导体激光元件，其特征在于：包括由以半极性面作为晶体生长面的III族氮化物半导体构成的半导体层叠构造，该半导体层叠构造包括：包含In的发光层；配置于该发光层的一侧的p型引导层；配置于所述发光层的另一侧的n型引导层；配置于所述p型引导层的与所述发光层相反一侧的p型包层；配置于所述n型引导层的与所述发光层相反一侧的n型包层，所述半导体层叠构造包括：与c轴在所述晶体生长面的投影矢量平行地形成的直线状的波导；和由与所述投影矢量垂直的解理面构成的一对激光谐振面。