| 发明名称 | 隧道场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种可在较小的亚阈值下动作且可容易地制造的隧道场效应晶体管。本发明的隧道场效应晶体管包含：IV族半导体基板，掺杂为第一导电型；III-V族化合物半导体纳米线，配置在所述IV族半导体基板的(111)面上，且包含连接于所述IV族半导体基板的(111)面的第一区域、及掺杂为与所述第一导电型不同的第二导电型的第二区域；源极电极，连接于所述IV族半导体基板；漏极电极，连接于所述III-V族化合物半导体纳米线的第二区域；及栅极电极，配置在可对所述IV族半导体基板的(111)面与所述III-V族化合物半导体纳米线的界面、或所述III-V族化合物半导体纳米线的第一区域与第二区域的界面产生效应的位置。 | ||
| 申请公布号 | CN102576726A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201080043950.2 | 申请日期 | 2010.09.29 |
| 申请人 | 国立大学法人北海道大学 | 发明人 | 冨冈克広;福井孝志;田中智隆 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 姜虎;陈英俊 |
| 主权项 | 一种隧道场效应晶体管，包含：IV族半导体基板，具有(111)面，掺杂为第一导电型；III‑V族化合物半导体纳米线，配置在所述IV族半导体基板的(111)面上，且包含连接于所述IV族半导体基板的(111)面的第一区域、及掺杂为与所述第一导电型不同的第二导电型的第二区域；源极电极或漏极电极，不与所述III‑V族化合物半导体纳米线接触，且连接于所述IV族半导体基板；漏极电极或源极电极，连接于所述III‑V族化合物半导体纳米线的第二区域；以及栅极电极，使电场作用于所述IV族半导体基板的(111)面与所述III‑V族化合物半导体纳米线的界面。 | ||
| 地址 | 日本北海道 | ||