发明名称 |
硅蚀刻液和蚀刻方法 |
摘要 |
本发明提供一种蚀刻液和蚀刻方法,在硅的蚀刻加工中,特别是半导体或MEM S部件的制造工序中的硅的各向异性蚀刻加工中,通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的、液体中存在Cu时所发生的Si蚀刻速度的降低,从而表现出较高的蚀刻速度。本发明涉及一种硅蚀刻液,其特征在于,其为含有碱性氢氧化物、羟基胺和硫脲类的碱性水溶液,且各向异性地溶解单晶硅;另外涉及使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法。 |
申请公布号 |
CN102576674A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201080044830.4 |
申请日期 |
2010.09.29 |
申请人 |
三菱瓦斯化学株式会社 |
发明人 |
藤音喜子;外赤隆二 |
分类号 |
H01L21/308(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/308(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种硅蚀刻液,其特征在于,该硅蚀刻液各向异性地溶解单晶硅,其为含有(1)选自氢氧化钾、氢氧化钠和氢氧化四甲铵中的1种以上碱性氢氧化物、(2)羟基胺和(3)硫脲类的碱性水溶液。 |
地址 |
日本东京都 |