发明名称 |
一种具有梯度型带隙特征的纳米硅窗口层及其制备方法 |
摘要 |
一种具有梯度型带隙特征的纳米硅窗口层,是在衬底上依次叠加有金属背电极M、透明导电背电极T1、n型硅基薄膜N和本征硅基薄膜I的待处理样品表面沉积形成,由硅薄膜P1、硅薄膜P2和硅薄膜P3依次叠加构成;其制备方法是:在较低的辉光功率下沉积厚度较薄的p型硅薄膜P1,然后逐渐升高功率沉积薄膜P2,最后在较高的功率下完成窗口层P3。本发明的优点是:该纳米硅窗口层用于n-i-p型硅基薄膜太阳电池的窗口层时,既可获得高电导和宽带隙,又能有效地减小太阳电池i/p界面的轰击,还可以实现本征层和窗口层之间的带隙匹配,显著提高太阳电池的填充因子、开路电压和光谱响应,从而得到高光电转换效率的硅基薄膜太阳电池。 |
申请公布号 |
CN102569481A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210022382.9 |
申请日期 |
2012.02.01 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
侯国付;倪牮;马峻;刘飞连;张晓丹;赵颖 |
分类号 |
H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/075(2012.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种具有梯度型带隙特征的纳米硅窗口层,是在衬底上依次叠加有金属背电极M、透明导电背电极T1、n型硅基薄膜N和本征硅基薄膜I的待处理样品表面沉积的具有梯度型带隙特征的p型纳米硅窗口层,其特征在于:由硅薄膜P1、硅薄膜P2和硅薄膜P3依次叠加构成,其中硅薄膜P1、硅薄膜P2和硅薄膜P3的厚度分别为0.5‑2nm、1‑3nm和5‑30nm,整个纳米硅窗口层的总厚度为10‑50nm、晶粒尺寸为1‑10nm、电导率为0.00001‑5S/cm、激活能为0.01‑0.5eV,带隙宽度为1.8‑2.5eV。 |
地址 |
300071 天津市南开区卫津路94号 |