发明名称 |
一种三维多值非挥发存储器的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种三维多值非挥发存储器的制备方法,属于微电子制造及存储器技术领域。所述多值非挥发存储器具有立体结构,基于电荷局域存储的特性,每个单元具有多个物理存储点,从而实现多值存储的特性。基于单个器件的立体结构,可以实现存储器阵列三维集成,从而大幅度提高存储密度。本发明三维多值非挥发存储器密度高、易集成,采用现有存储器制造工艺即可实现,有利于本发明的推广和应用。 |
申请公布号 |
CN102569203A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201010597578.1 |
申请日期 |
2010.12.20 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
刘明;朱晨昕;霍宗亮;闫峰;王艳花;王琴;龙世兵 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种三维多值非挥发存储器的制备方法,其特征在于,该方法包括:在半导体衬底上形成叠层结构;形成沟道区域及源/漏掺杂区;形成栅介质层及栅极区;分别由源/漏掺杂区及栅极区引出位线及字线,形成三维多值非挥发存储器。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |