| 发明名称 | 用于制造电极结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于制造电极结构的方法。该方法包括：提供半导体本体，该半导体本体具有第一表面，并且具有在该半导体本体的垂直方向上从该第一表面延伸的第一牺牲层；形成从该第一表面延伸至该半导体本体中的第一沟槽，其中形成该第一沟槽至少包括在邻近该第一表面的部分中去除该牺牲层；通过在该第一沟槽中各向同性地蚀刻该半导体本体来形成第二沟槽；形成覆盖该第二沟槽的侧壁的介质层；在该第二沟槽中的该介质层上形成电极，该第二沟槽中的该电极和该介质层形成该电极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102569092A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201110361951.8 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | S·加梅里思;R·克纳夫勒;A·莫德;K·索沙格;H·韦伯 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;卢江 |
| 主权项 | 一种用于制造具有电极结构的半导体器件的方法，该方法包括：提供半导体本体，该半导体本体具有第一表面，并且具有在该半导体本体的垂直方向上从该第一表面延伸的第一牺牲层；形成从该第一表面延伸至该半导体本体中的第一沟槽，其中形成该第一沟槽至少包括在邻近该第一表面的部分中去除该牺牲层；通过在该第一沟槽中各向同性地蚀刻该半导体本体来形成第二沟槽；形成覆盖该第二沟槽的侧壁的介质层；在该第二沟槽中的该介质层上形成电极，该第二沟槽中的该电极和该介质层形成该电极结构。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||