一种高擦写速度的SONOS单元晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开一种利用应变硅技术提高SONOS晶体管的擦写速度的方法，其特征在于，在形成若干浅沟槽隔离区的P型衬底上制作完栅极的侧墙后，还包括如下步骤：步骤1，沉淀阻挡层覆盖所述晶体管；步骤2，刻蚀去除覆盖在NMOS区域上方的阻挡层使所述NMOS区域暴露；步骤3，在所述栅极两侧与浅沟槽隔离区之间的P型衬底上进行碳离子注入；步骤4，进行高温退火，使所述碳化硅对沟道产生张应力。本发明使硅的能带发生分裂，分裂的结果导致沿沟道方向的电子有效质量减小，同时电子的能谷散射概率也降低，使SONOS单元晶体管的电子迁移率显著提高，从而改善热电子注入机制的SONOS编程效率及速度。

主权项

一种高擦写速度的SONOS单元晶体管，包括若干成对PMOS和NMOS，所述NMOS包括：具有若干成对有源区的P型硅衬底，每一对有源区之间形成有沟道；栅极，位于所述沟道上方，所述栅极的侧墙之间具有氧化硅‑氮化硅‑氧化硅层，所述氧化硅‑氮化硅‑氧化硅层上为多晶硅；所述成对有源区的外围的两侧分别设置有浅沟槽隔离区；其特征在于，所述NMOS的有源区成对有源区包括碳化硅。