门控III-V半导体结构和方法

摘要

门控III-V半导体结构和用于制作门控III-V半导体结构的方法，包括在阈值修改掺杂物区域，所述阈值修改掺杂物区域在穿透钝化层的孔基部的III-V半导体阻挡层内，所述钝化层钝化III-V半导体阻挡层。可包含铝-硅氮化物材料的钝化层具有特定的带隙和介电常数特性，这些特性决定了由没有场板的III-V半导体结构所能得到的III-V半导体器件的增强性能。阈值修改掺杂物区域提供用于在同一个基底上形成增强模式门控III-V半导体结构和耗尽模式III-V半导体结构的可能性。阈值修改掺杂物区域在包括镁(Mg)阈值修改掺杂物时，可以通过使用二戊基镁(Cp2Mg)气相扩散法或镁-硅氮化物(MgSiN)固态扩散法被引入门控III-V半导体结构中。

主权项

一种半导体结构，包括：包含第一III‑V半导体材料的阻挡层，所述阻挡层位于缓冲层上，所述缓冲层包含第二III‑V半导体材料且又位于基底上，所述第二III‑V半导体材料与所述第一III‑V半导体材料不同；包含铝‑硅氮化物材料的钝化层，所述钝化层位于所述阻挡层上且包括孔，该孔暴露位于所述阻挡层内的阈值修改掺杂物区域；栅极，所述栅极与位于所述阻挡层内的所述阈值修改掺杂物区域接触。