| 发明名称 | 具有自对准金属硅化工艺的双栅LDMOS的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有自对准金属硅化工艺的双栅LDMOS的制备方法，包括如下步骤：1)控制栅和屏蔽栅的形成，所述屏蔽栅位于体区和漏区之间的漂移区上，且所述控制栅和所述屏蔽栅有部分叠加放置，所述控制栅和所述屏蔽栅之间通过绝缘层隔离；2)而在体区和源区形成之后，淀积介质层，而后刻蚀所述介质层在所述控制栅和屏蔽栅两边形成侧墙；3)之后进行自对准金属硅化物形成工艺，在所述屏蔽栅，控制栅和源区表面形成金属硅化物。采用本发明的方法所制备的LDMOS器件，其开关速度得到大大的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102569079A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201010595285.X | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 金勤海;王佰胜;袁秉荣 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种具有自对准金属硅化工艺的双栅LDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)控制栅和屏蔽栅的形成，所述屏蔽栅位于体区和漏区之间的漂移区上，且所述控制栅和所述屏蔽栅有部分叠加放置，所述控制栅和所述屏蔽栅之间通过绝缘层隔离；2)而在体区和源区形成之后，淀积介质层，而后刻蚀所述介质层在所述控制栅和屏蔽栅两边形成侧墙；3)之后进行自对准金属硅化物形成工艺，在所述屏蔽栅，控制栅和源区表面形成金属硅化物。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||