发明名称 |
集成电路的内连线结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种集成电路的内连线结构及其制作方法。该内连线结构包含有:基材;下层金属导线,位于该基材上的第一金属层间介电层中;第二金属层间介电层,位于该第一金属层间介电层上,且覆盖着该下层金属导线;上层金属导线,位于该第二金属层间介电层上;以及介层插塞结构,位于该第二金属层间介电层中,用以连结该上层金属导线与该下层金属导线,其中该介层插塞结构包含有钨金属栓柱,形成在该下层金属导线上,以及铝插塞,堆叠在该钨金属栓柱上。本发明具备较低阻值的介层插塞结构和具有成本优势。 |
申请公布号 |
CN101924095B |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN200910166230.4 |
申请日期 |
2009.08.20 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 |
发明人 |
梁雯萍;邱钰珊;苏国辉 |
分类号 |
H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/532(2006.01)I |
代理机构 |
北京市浩天知识产权代理事务所 11276 |
代理人 |
刘云贵 |
主权项 |
一种集成电路的内连线结构,包含有基材、第一金属层间介电层,位于该基材上、下层金属导线,位于该第一金属层间介电层中、第二金属层间介电层,位于该第一金属层间介电层上,且覆盖着该下层金属导线、上层金属导线,位于该第二金属层间介电层上、以及介层插塞结构,位于该第二金属层间介电层中,用以连结该上层金属导线与该下层金属导线,其特征在于:该介层插塞结构包含有钨金属栓柱,形成在该下层金属导线上,以及铝插塞,堆叠在该钨金属栓柱上。 |
地址 |
中国台湾桃园县 |