发明名称 集成电路的内连线结构及其制作方法
摘要 本发明公开了一种集成电路的内连线结构及其制作方法。该内连线结构包含有:基材;下层金属导线,位于该基材上的第一金属层间介电层中;第二金属层间介电层,位于该第一金属层间介电层上,且覆盖着该下层金属导线;上层金属导线,位于该第二金属层间介电层上;以及介层插塞结构,位于该第二金属层间介电层中,用以连结该上层金属导线与该下层金属导线,其中该介层插塞结构包含有钨金属栓柱,形成在该下层金属导线上,以及铝插塞,堆叠在该钨金属栓柱上。本发明具备较低阻值的介层插塞结构和具有成本优势。
申请公布号 CN101924095B 申请公布日期 2012.07.11
申请号 CN200910166230.4 申请日期 2009.08.20
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 梁雯萍;邱钰珊;苏国辉
分类号 H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L23/532(2006.01)I
代理机构 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 代理人 刘云贵
主权项 一种集成电路的内连线结构,包含有基材、第一金属层间介电层,位于该基材上、下层金属导线,位于该第一金属层间介电层中、第二金属层间介电层,位于该第一金属层间介电层上,且覆盖着该下层金属导线、上层金属导线,位于该第二金属层间介电层上、以及介层插塞结构,位于该第二金属层间介电层中,用以连结该上层金属导线与该下层金属导线,其特征在于:该介层插塞结构包含有钨金属栓柱,形成在该下层金属导线上,以及铝插塞,堆叠在该钨金属栓柱上。
地址 中国台湾桃园县