一种基于γ₅₁的电光调制器及实现方法

摘要

本发明涉及一种基于γ51电光调制器及实现制备方法，将电光晶体沿切割面(010)分割为三个x1、x2、x3主轴，二个偏振片分别放置在电光晶体的切割面(010)两侧，且二个偏振片的偏振化方向分别与x1、x3轴成45度夹角，信号源沿x1方向施加电场E，x`1、x`2、x`3为在沿x1方向施加电场E后的折射率椭球主轴。本发明采用调整两偏振片的夹角消除自然双折射引起的位相变化在一种在小信号情况下，调制的光强度随调制信号强度线性变化的电光调制器。采用本发明提供的方案可以实现半波电压低于0.5V的电光调制器。

主权项

基于电光系数γ51的电光调制器，包括两个偏振片、信号源、正交晶系C2v‑mm2、四方晶系D4d‑4mm或六方晶系C6v‑6mm的电光晶体，其特征在于：将正交晶系C2v‑mm2、四方晶系D4d‑4mm或六方晶系C6v‑6mm的电光晶体沿切割面平行于三个x1、x2、x3主轴分割，且x1、x2、x3分别为电光晶体的折射率椭球的主轴，两个偏振片分别放置在正交晶系C2v‑mm2、四方晶系D4d‑4mm或六方晶系C6v‑6mm的电光晶体的切割面两侧，且两个偏振片的偏振化方向分别与x1、x3轴成45度夹角，信号源沿x1方向施加电场，x`1、x`2、x`3为在沿x1方向施加电场后的折射率椭球主轴。