存储装置及其制造方法和存储器阵列及其制造方法

摘要

本发明提供了存储装置及其制造方法和存储器阵列及其制造方法。在存储装置中，存储开关结构形成在第一电极和第二电极之间。存储开关结构包括存储电阻器和开关结构。开关结构控制提供到存储电阻器的电流。存储电阻器的存储区域和开关结构的开关区域彼此不同。

主权项

一种存储装置，包括：第一电极；第二电极；开关存储结构，布置在第一电极和第二电极之间，开关存储结构包括：存储电阻器，开关结构，布置在第一电极和存储电阻器之间，开关结构被构造为控制提供到存储电阻器的电流，开关结构的开关区域的尺寸大于存储电阻器的存储区域的尺寸，中间电极，形成在存储电阻器和开关结构之间，其中，开关区域为开关结构与第一电极和中间电极重叠的区域，存储区域为存储电阻器与中间电极和第二电极重叠的区域，中间电极具有接触塞，接触塞一体地形成在中间电极上，使得中间电极经过接触塞接触存储电阻器。