DRAM cell with separate read and write transistors,申请号EP19980402702-传众专利搜索

发明名称	DRAM cell with separate read and write transistors
摘要
申请公布号	EP0913867(B1)	申请公布日期	2012.07.11
申请号	EP19980402702	申请日期	1998.10.29
申请人	JP	发明人
分类号	H01L27/108;G11C11/405	主分类号	H01L27/108
代理机构		代理人
主权项
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