一种非对称取样光栅半导体激光器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种非对称取样光栅半导体激光器，在激光器有源层顶部上限制层上方的取样光栅分成取样周期相同的等长的两部分；第一部分中的取样光栅占空比为0.5，第二部分中的取样光栅占空比不等于0.5；则在所述第一、第二部分取样光栅中间的相邻光栅区域的间距为D，且所述该间距为D与能改变取样光栅的等效相移值相对应；本发明在激光器端面无法镀膜的情况下，可通过调节所选择等效相移取样光栅激光器两侧取样光栅的取样占空比，来使得激光器从两个端面输出不同功率大小的激光。

主权项

一种非对称取样光栅半导体激光器的制作方法，其特征在于包括位于激光器有源层顶部上限制层上方的非对称取样光栅的制作的步骤，其包括：把激光器有源层顶部上限制层上方生成的取样周期相同的取样光栅分成等长的两部分；第一部分的取样光栅的占空比为0.5，第二部分的取样光栅的占空比不等于0.5。