| 发明名称 | 用于制造腔结构、制造用于半导体结构的腔结构的方法和使用该方法制造的半导体传声器 | ||
| 摘要 | 实施例示出了用于制造腔结构、半导体结构、用于半导体结构的腔结构的方法和使用该方法制造的半导体传声器。在一些实施例中，用于制造腔结构的方法包括：提供第一层；在第一层上沉积碳层；使用第二层至少部分地覆盖碳层以限定腔；借助于干法蚀刻去除第一和第二层之间的碳层，从而形成腔结构。 | ||
| 申请公布号 | CN102556936A | 申请公布日期 | 2012.07.11 |
| 申请号 | CN201110443674.5 | 申请日期 | 2011.12.27 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | C.阿伦斯;W.弗里扎;T.格里勒;K.米姆勒;G.齐格 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;H04R1/00(2006.01)I;H04R19/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;卢江 |
| 主权项 | 一种用于制造腔结构的方法,包括：提供第一层；在第一层上沉积碳层；使用第二层至少部分地覆盖碳层以限定腔结构； 借助于干法蚀刻去除第一和第二层之间的碳层，从而形成腔结构。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||