发明名称 |
一种单晶硅棒外圆切割加工方法和装置 |
摘要 |
一种单晶硅棒外圆切割加工方法及装置,属于非接触式电火花加工范畴。切割加工的方法是:以钼丝或钼合金金属细丝作为工作电极,使走丝速度在1-30m/s之间,在切割加工过程中,脉冲发生器的电压脉冲宽度在1-100μs之间且可调;电压在0-200伏特之间,加工工作液的电导率为0.5-50ms/cm。针对重掺杂单晶(电阻率在0.0001-0.10Ω.cm范围)单晶硅棒(锭),锭长100-400cm。采用较高电导率(0.5-50ms/cm)工作液,基于无切削力的电火花放电原理,实现单晶硅棒(锭)外圆切割加工一次成型且晶体表面几乎没有加工应力损伤残留。这种单晶硅棒(锭)外圆切割加工工艺方法可以保留单晶的外壳(重量占单晶的5-15%),这部分材料可以回收。 |
申请公布号 |
CN102554377A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201010620832.5 |
申请日期 |
2010.12.23 |
申请人 |
有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 |
发明人 |
方峰;赵阳;郑沉;孔祥玉;高朝阳;侯艳柱;叶松芳;刘红艳 |
分类号 |
B23H7/02(2006.01)I;B23H7/34(2006.01)I |
主分类号 |
B23H7/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 |
代理人 |
郭佩兰 |
主权项 |
一种单晶硅棒外圆切割加工方法,其特征是:它包括以下步骤:以钼丝或钼合金金属细丝作为工作电极,使走丝速度在1‑30m/s之间,在切割加工过程中,脉冲发生器的电压脉冲宽度在1‑100μs之间且可调;电压在0‑200伏特之间,加工工作液的电导率为0.5‑50ms/cm。 |
地址 |
100088 北京市新街口外大街2号 |