发明名称 |
改善应力的浅槽隔离制造方法以及半导体器件制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种改善应力的浅槽隔离制造方法以及半导体器件制造方法。根据本发明的改善应力的浅槽隔离制造方法包括:第一生长步骤,用于在硅片上依次生长垫衬氧化层以及氮化硅硬掩膜层;第二生长步骤,用于在所述氮化硅硬掩膜层上形成光刻胶;有源区光刻步骤,用于形成光刻胶的图案,所述图案与所要形成的浅沟槽相对应;氮化硅硬掩膜层蚀刻步骤,用于对所述氮化硅硬掩膜层进行刻蚀,所述刻蚀停在垫衬氧化层上;光刻胶去除步骤,用于去除所述光刻胶;原位水汽生成氧化步骤,用于在去除了所述光刻胶的结构上形成氧化层;以及浅沟槽蚀刻步骤,用于利用所述氧化层和所述氮化硅硬掩膜层完成浅沟槽的蚀刻,直到实现所期望的浅沟槽深度。 |
申请公布号 |
CN102569166A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210061971.8 |
申请日期 |
2012.03.09 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
张雄 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种改善应力的浅槽隔离制造方法,其特征在于包括:第一生长步骤,用于在硅片上依次生长垫衬氧化层以及氮化硅硬掩膜层;第二生长步骤,用于在所述氮化硅硬掩膜层上形成光刻胶;有源区光刻步骤,用于形成光刻胶的图案,所述图案与所要形成的浅沟槽相对应;氮化硅硬掩膜层蚀刻步骤,用于对所述氮化硅硬掩膜层进行刻蚀,所述刻蚀停在垫衬氧化层上;光刻胶去除步骤,用于去除所述光刻胶;原位水汽生成氧化步骤,用于在去除了所述光刻胶的结构上形成氧化层;以及浅沟槽蚀刻步骤,用于利用所述氧化层和所述氮化硅硬掩膜层完成浅沟槽的蚀刻,直到实现所期望的浅沟槽深度。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |