发明名称 |
一种制备p型CuAlO<sub>2</sub>透明导电薄膜的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种制备p型CuAlO2透明导电薄膜的方法。本发明首先,以Cu2O和Al2O3为原料,经过人工研磨或机械球磨混合均匀,将混合粉末装入粉末压片机,制成圆柱状靶材坯料,将靶材坯料放入刚玉坩埚中盖好后置于单晶炉中,在温度为1100oC~1200oC之间烧结10~12小时即得到CuAlO2陶瓷靶材;然后,将烧制好的CuAlO2靶材放入电子束蒸发镀膜设备的坩埚内,抽至本底真空,在不通入任何反应气体的情况下,进行电子束蒸发镀膜,控制电子束流和沉积时间即得到p型CuAlO2透明导电薄膜。本发明方法制备的p型CuAlO2导电靶材具有制备过程简单、烧结过程受热均匀、产物纯度高、制备过程清洁无污染。 |
申请公布号 |
CN102560362A |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201210059150.0 |
申请日期 |
2012.03.08 |
申请人 |
杭州电子科技大学 |
发明人 |
黄延伟;席俊华;季振国 |
分类号 |
C23C14/08(2006.01)I;C23C14/30(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/08(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
杜军 |
主权项 |
一种制备p型CuAlO2透明导电薄膜的方法,其特征在于该方法包括以下步骤:首先,采用Cu2O和Al2O3为原料,经过人工研磨或机械球磨4小时以上,使之混合均匀,将混合粉末装入压片机在30~50 MPa的压力下保持1~3分钟,制成直径为1.4 cm、厚度为 2.1 mm的圆柱状靶材坯料,将靶材坯料放入刚玉坩埚中盖好后置于单晶炉中,控制温度为1100oC~1200oC烧结10~15小时即得到CuAlO2陶瓷靶材;然后,将烧制好的CuAlO2陶瓷靶材放入电子束蒸发镀膜设备的铜坩埚或碳坩埚内,抽真空至1×10‑4Pa以下,在不通入任何反应气体的条件下,进行电子束蒸发镀膜,控制电子束流为20mA~250mA,蒸发时间为5~45 分钟,即得到p型CuAlO2透明导电薄膜。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 |