发明名称 |
一种像素电极及液晶面板 |
摘要 |
本实用新型公开一种像素电极及液晶面板,所述像素电极上设置有至少一条与像素电极边缘相对倾斜的狭缝,狭缝的两端延伸到所述像素电极的边缘;狭缝两侧设置有多个深度相同的等切口;狭缝的两端部区域的两侧有多个底部延伸到所述像素电极的边缘的边缘切口,狭缝的端部区域还设置有多个由像素电极外向内部的方向深度递减的渐变切口,所述渐变切口的深度大于或等于所述等切口的深度。本实用新型通过改变像素电极上边缘切口深度,缓解共用电极的延伸结构上切口间及切口端部的异常电场,同时在边缘切口的一侧形成渐变切口,以使边缘处的电场渐渐变化过渡到像素内部的电场,从而避免此处区域的液晶分子发生异常排列,减少此处的暗纹产生,从而提高像素的穿透率。 |
申请公布号 |
CN202330961U |
申请公布日期 |
2012.07.11 |
申请号 |
CN201120464538.X |
申请日期 |
2011.11.21 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
姚晓慧;许哲豪;薛景峰;董成才 |
分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1343(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 |
代理人 |
邢涛;田夏 |
主权项 |
一种像素电极,其特征在于:所述像素电极上设置有至少一条与像素电极边缘相对倾斜的狭缝,所述狭缝的两端延伸到所述像素电极的边缘;所述狭缝两侧设置有多个深度相同的等切口;所述狭缝的两端部区域的两侧有多个底部延伸到所述像素电极的边缘的边缘切口,所述狭缝的端部区域还设置有多个渐变切口,所述渐变切口的深度大于或等于所述等切口的深度。 |
地址 |
518000 广东省深圳市光明新区光明大道9-2号 |