一种测定聚合物玻璃化转变温度的方法

摘要

本发明公开了一种测定聚合物玻璃化转变温度的方法。用于测定的有机场效应晶体管，依次包括基板、位于所述基板上的源电极和漏电极，覆盖所述基板、源电极和漏电极的有机半导体薄膜层、位于所述有机半导体薄膜层之上的绝缘层和覆盖所述绝缘层的栅极；所述栅极在所述绝缘层上的覆盖面积小于所述基板面积。通过测定不同温度下的有机场效应晶体管的转移曲线，得到该半导体器件的场效应迁移率随温度的变化曲线，该曲线的斜率转折点所对应的温度就是作为绝缘层的聚合物的玻璃化转变温度。该方法的操作简便，制备工艺简单，只需对一个半导体器件进行测定，就可同时测出聚合物薄膜的本体和表面玻璃化转变温度两个特征温度，且重现性好。

主权项

一种测定聚合物玻璃化转变温度的方法，包括如下步骤：将待测聚合物样品作为构成有机场效应晶体管的绝缘层的材料，测定所述有机场效应晶体管在不同温度下的转移特性曲线，通过计算得到场效应迁移率随温度的变化曲线，该曲线有两个转折点，一个转折点对应的较低温度为待测聚合物样品的表面玻璃化转变温度，另一个转折点对应的较高温度为待测聚合物的本体玻璃化转变温度；其中，所述有机场效应晶体管，依次包括基板、位于所述基板上的源电极和漏电极，覆盖所述基板、源电极和漏电极的有机半导体薄膜层、位于所述有机半导体薄膜层之上的绝缘层和覆盖所述绝缘层的栅极；所述栅极在所述绝缘层上的覆盖面积小于所述基板面积；所述转移特性曲线是指在不同的源漏电压VSD下，源漏电流ISD随栅压VG的变化曲线；所述场效应迁移率是通过在ISD1/2随VG变化的曲线上作切线，根据切线的斜率获得所述场效应迁移率，具体计算公式如下： μ = 2 L WC i S 2 其中，μ为场效应迁移率，S为所述切线的斜率，Ci为聚合物薄膜单位面积的电容，L和W分别为源漏电极间的距离和电极的宽度。