双扩散场效应晶体管制造方法

摘要

本发明公开了一种双扩散场效应晶体管制造方法，通过在衬底上的阱区内刻蚀形成一具有一定深度的沟道，然后再在阱区内进行漂移区离子注入形成漂移区，从而使得所述沟道区比漂移区低，因此改变了漂移区的横向电场分布，大大地提高了晶体管的击穿电压，同时也提高了晶体管的饱和电流，最终使得本发明所述双扩散场效应晶体管的特性获得了较大的改善。

主权项

一种双扩散场效应晶体管制造方法，其特征在于，包括：第一步，在硅衬底上进行离子注入形成阱区；第二步，对所述阱区内进行刻蚀形成沟道；第三步，对所述硅衬底阱区的位置进行选择性离子注入，形成漂移区；第四步，在所述硅衬底顶部生长一层栅氧化硅层，然后在所述栅氧化硅层上淀积一层栅多晶硅层；第五步，使用光刻技术，对所述栅多晶硅层和所述栅氧化硅层进行刻蚀，从而形成栅极；第六步，在所述漂移区内进行选择性源漏离子注入，形成源漏极。