| 摘要 |
1. Способ изготовления микросистемы контроля трех компонент вектора магнитной индукции, включающий размещение на кремниевой пластине трех магниторезистивных преобразователей магнитного поля с осями чувствительности по X, Y и Z направлениям, таким образом, что оси чувствительности кристаллов магниторезистивных преобразователей магнитного поля направлены ортогонально друг другу, и кристалла микросхемы усиления сигнала, отличающийся тем, что проводят формирование на поверхности кремниевой пластины первого диэлектрического слоя из нитрида кремния с подслоем оксида кремния, формирование металлизированной разводки и контактных площадок, нанесение второго диэлектрического слоя из диоксида кремния; формирование окон во втором диэлектрическом слое до металла, формирование в первом диэлектрическом слое окна в центральной области пластины до кремния, сухое анизотропное травление кремния в окне центральной области на глубину, не менее половины толщины кремниевой пластины, размещение на кремниевой пластине путем приклеивания двух кристаллов магниторезистивных преобразователей обратной стороной и торцами вплотную друг к другу или кристалла двухосевого магниторезистивного преобразователя, с осями чувствительности по X и Y направлениям, кристалла магниторезистивного преобразователя с чувствительностью по Z-направлению торцом в окно в центральной области с вытравленным кремнием, с примыканием обратной стороны к торцам кристаллов магниторезистивных преобразователей с осями чувствительности по Х- и Y-направлениям; размещение кристалла микросхемы усиления сигнала; разварку контактных площадок магнитор� |
