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Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterelementes (100), wobei: • ein Substrat (102) bereitgestellt wird, welches eine Mehrzahl von Die-Bereichen (105) und mindestens einen Rand-Bereich (103) mit Gebieten mit unvollständigen Dies oder ungenutzten Substrat-Gebieten enthält, wobei jeder Die-Bereich (105) einen Justiermarken-Bereich (104) und einen Bauelement-Bereich (106) enthält; • eine erste isolierende Schicht (116) über dem Substrat gebildet wird; • mindestens eine erste Justiermarke (114) über dem Justiermarken-Bereich (104) jedes Die-Bereiches (105) und eine Mehrzahl von ersten Leiterbahnen (112) über dem Bauelement-Bereich (106) jedes Die-Bereiches (105) innerhalb der ersten isolierenden Schicht (116) gebildet wird, wobei das Bilden der mindestens einen ersten Justiermarke (114) das Füllen der mindestens einen ersten Justiermarke (114) mit einem leitenden Material aufweist; • mindestens eine zweite Justiermarke (140) innerhalb zumindest der ersten isolierenden Schicht (116) über dem mindestens einen Rand-Bereich (103) des Substrats gebildet wird, wobei die mindestens eine zweite Justiermarke (114) einen Graben mit...
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