| 发明名称 |
GROUP IV ELEMENT DOPED P-TYPE Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
A p-type group II-VI semiconductor may include a group IV element as a dopant. The group II-IV semiconductor may be Zn1-a-b-cMgaCdbBecO1-p-qSpSeq, wherein a=0~1, b=0~1, c=0~1, p=0~1 and q=0~1. |
| 申请公布号 |
WO2012065170(A3) |
申请公布日期 |
2012.07.05 |
| 申请号 |
WO2011US60622 |
申请日期 |
2011.11.14 |
| 申请人 |
ZN TECHNOLOGY, INC.;ZHANG, JIZHI;SONG, JIN JOO |
发明人 |
ZHANG, JIZHI;SONG, JIN JOO |
| 分类号 |
C01G9/02 |
主分类号 |
C01G9/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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