Halbleitergehäuse und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Bereitgestellt werden ein Halbleitergehäuse und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Gemäß einer Ausführungsform wird zur Herstellung eines Halbleitergehäuses ein Wafer mit darin hergestellten Halbleiterchips bereitgestellt. Eine Wärmesenkeschicht wird auf dem Wafer ausgebildet. Die Wärmesenkeschicht kontaktiert obere Oberflächen der Halbleiterchips. Danach wird die Vielzahl der Halbleiterchips von dem Wafer vereinzelt.