发明名称 |
一种利用应变硅技术提高SONOS的擦写速度的方法 |
摘要 |
本发明公开一种制造高擦写速度的SONOS单元晶体管的方法,其特征在于,在形成若干浅沟槽隔离区的P型衬底上制作完栅极的侧墙后,还包括如下步骤:步骤1,沉淀阻挡层覆盖所述晶体管;步骤2,刻蚀去除覆盖在NMOS区域上方的阻挡层使所述NMOS区域暴露;步骤3,刻蚀NMOS区域栅极的两侧有源区位置的硅;步骤4,通过选择性外延工艺,在所述有源区位置沉淀碳化硅;步骤5,进行高温退火,使所述碳化硅对沟道产生张应力。使硅的能带发生分裂,分裂的结果导致沿沟道方向的电子有效质量减小,同时电子的能谷散射概率也降低,使SONOS单元晶体管的电子迁移率显著提高,从而改善热电子注入机制的SONOS编程效率及速度。 |
申请公布号 |
CN102543890A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201210047380.5 |
申请日期 |
2012.02.28 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
葛洪涛;黄晓橹;陈玉文 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 31213 |
代理人 |
王敏杰 |
主权项 |
一种利用应变硅技术提高SONOS晶体管的擦写速度的方法,其特征在于,在形成若干浅沟槽隔离区的P型衬底上制作完栅极的侧墙后,还包括如下步骤:步骤1,沉淀阻挡层覆盖所述晶体管;步骤2,刻蚀去除覆盖在NMOS区域上方的阻挡层使所述NMOS区域暴露;步骤3,在所述栅极两侧与浅沟槽隔离区之间的P型衬底上进行碳离子注入;步骤4,进行高温退火,使所述碳化硅对沟道产生张应力。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |