一种选择性发射结晶体硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种选择性发射结晶体硅太阳能电池的制备方法，包括单步高浓度掺杂扩散，然后采用印刷工艺在电极区域印刷抗腐蚀浆料，非电极区域经过化学腐蚀实现轻掺杂的发射结，再除去抗腐蚀阻挡层，最后采用常规太阳能制备方法制得选择性发射结晶体硅太阳能电池。本发明方法采用单步高温扩散、丝网印刷掩膜电极、化学腐蚀，相对于两步高温扩散、激光掺杂等选择性发射结太阳能电池制作方法，该工艺步骤简单、设备投入小，且易于添加到现有生产线中，实现大规模生产。

主权项

一种选择性发射结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征是：单步高浓度掺杂扩散，然后采用印刷工艺在电极区域印刷抗腐蚀浆料，非电极区域经过化学腐蚀实现轻掺杂的发射结，再除去抗腐蚀阻挡层，最后采用常规太阳能制备方法制得选择性发射结晶体硅太阳能电池。