一种增强太赫兹辐射吸收率的膜系结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种增强太赫兹辐射吸收率的膜系结构及其制备方法，该膜系结构位于太赫兹探测器敏感单元的顶层，包括介质薄膜及位于其上的太赫兹吸收层。所述介质薄膜为采用PECVD混频技术制备的低应力氮化硅或氧化硅薄膜，该介质薄膜被反应离子刻蚀为微纳米量级的粗糙表面，所述太赫兹吸收层由磁控溅射法制备在表面粗糙的介质薄膜上。由于粗糙的介质薄膜表面结构增大了太赫兹吸收层的表体比，有效增强太赫兹辐射吸收率，并且制备工艺简单合理，易大面积制备与集成，可广泛应用于各种太赫兹探测与成像技术领域，为高性能太赫兹探测器的研制提供有力支持。

主权项

一种增强太赫兹辐射吸收率的膜系结构，包括介质薄膜和太赫兹吸收层，其特征在于：所述介质薄膜表面粗糙，表面粗糙度在微纳米量级；所述太赫兹吸收层位于表面粗糙的介质薄膜之上。