发明名称 | 低温制造齐纳二极管工艺 | ||
摘要 | 本发明公开了一种低温制造齐纳二极管工艺,包括以下步骤:在N型重掺杂N+硅晶片的上面生长或沉积一层氧化硅;通过半导体光刻和刻蚀工艺在上述氧化硅上打开缺口,并刻蚀出和N+区的厚度一样的硅槽,清洗该硅槽上的光刻胶;在上述氧化硅层上面镀一层铝薄膜,并在该铝薄膜上生长一层非晶硅薄膜,其中在上述硅槽中形成铝薄膜和非晶硅薄膜的复合层;在低温条件下退火条件下,使上述硅槽中的非晶硅薄膜中的Si原子扩散到上述铝薄膜,在上述硅槽中的硅片表面上形成铝掺杂的P+单晶;清洗去除氧化硅层,残余的铝薄膜和非晶硅膜。通过在低于400℃的低温下完成集成,从而使齐纳二极管的制造工艺更加的灵活。 | ||
申请公布号 | CN102543724A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
申请号 | CN201210034595.3 | 申请日期 | 2012.02.16 |
申请人 | 张家港意发功率半导体有限公司 | 发明人 | 何志;周炳;季安;刘晓萌 |
分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
代理机构 | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人 | 夏晏平 |
主权项 | 一种低温制造齐纳二极管工艺,其特征在于,包括以下步骤:在N型重掺杂N+硅晶片的上面生长或沉积一层氧化硅;通过半导体光刻和刻蚀工艺在上述氧化硅上打开缺口, 并刻蚀出和N+区的厚度一样的硅槽,清洗该硅槽上的光刻胶;在上述氧化硅层上面镀一层铝薄膜,并在该铝薄膜上生长一层非晶硅薄膜,其中在上述硅槽中形成铝薄膜和非晶硅薄膜的复合层;在低温条件下退火条件下, 使上述硅槽中的非晶硅薄膜中的Si原子扩散到上述铝薄膜, 在上述硅槽中的硅片表面上形成铝掺杂的P+单晶;清洗去除氧化硅层,残余的铝薄膜和非晶硅膜。 | ||
地址 | 215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号B-305 |