发明名称 半导体制造方法及装置
摘要 本发明公开了一种使用传感装置读取在衬底上定义的域的表面层面的方法,该传感装置具有由多个单元构成的至少一个单元阵列。所述方法包括选择构成所述至少一个单元阵列的单元中的一些,并且指定所选择的单元作为可用的单元。将光照射到域的表面上,以及使用可用的单元感应从域的表面反射的光并且提取可用的层面信号。可用的层面信号可以计算来读取域的表面层面。域的表面层面用在控制曝光装置的层面的方法中,该曝光装置使用表面层面上、下、左、右、前、后和旋转方向上控制安装在平衡台上的衬底。
申请公布号 CN101021689B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200610126326.4 申请日期 2006.08.30
申请人 三星电子株式会社 发明人 林钟昊
分类号 G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陶凤波
主权项 一种使用传感装置读取在衬底上定义的域的表面层面的方法,所述传感装置具有由多个单元构成的至少一个单元阵列,所述方法包括:分配所述域的测量允许区域和所述域的测量禁止区域;选择构成所述至少一个单元阵列的单元中的一些,并且指定所选择的单元作为可用的单元,所述可用的单元对应于所述测量允许区域;将光照射到所述域的表面上;以及使用所述可用的单元感应从所述域的表面反射的光并且提取可用的层面信号。
地址 韩国京畿道