发明名称 |
α-三氧化二铝单晶体的制备方法 |
摘要 |
本发明属于人造蓝宝石晶体的制备方法技术领域,特别涉及α-三氧化二铝单晶体的制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种绿色环保、产品质量稳定的α-三氧化二铝单晶体的制备方法。本发明α-Al2O3单晶体的制备方法,包括加原料、插晶种、烧结晶体、化料结晶、对中心、晶体扩大和等径生长步骤,原料为δ-Al2O3,插晶种所用晶种为A轴75°晶向的晶种。本发明方法提高了α-Al2O3单晶体的合格率,减少了废品率,节约了生产成本。 |
申请公布号 |
CN101942698B |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201010294444.2 |
申请日期 |
2010.09.28 |
申请人 |
四川鑫通新材料有限责任公司 |
发明人 |
钱幼平;代成;唐大林;代成功;王俊 |
分类号 |
C30B29/20(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/20(2006.01)I |
代理机构 |
成都虹桥专利事务所 51124 |
代理人 |
罗丽;武森涛 |
主权项 |
α‑三氧化二铝单晶体的制备方法,包括加原料、插晶种、烧结晶体、化料结晶、对中心、晶体扩大和等径生长步骤,其特征在于:原料为δ‑Al2O3,插晶种所用晶种为A轴75°晶向的晶种;其中,化料结晶时,下落料敲击频率10~25次/分钟;晶体扩大时,滴水维氧速度3~10秒/滴;下落料敲击频率:25~40次/min;下降生长速度3~8mm/min;等径生长时,下落料敲击频率45~75次/min,下降生长速度至8~20mm/min,滴水维氧速度:14~16秒/滴;加原料时下料筛网的孔径目数是140~200目;烧结晶体时氢氧火焰比例为:2.5~3.6∶1;烧结晶体时氢氧火焰温度2030~2080℃;插晶种时把晶种垂直插入生长头上端中心。 |
地址 |
623002 四川省阿坝藏族羌族自治州汶川县水磨镇茅坪子村四川鑫通新材料有限责任公司 |