发明名称 具有拖尾屏蔽件的垂直写头
摘要 本发明涉及具有拖尾屏蔽件的垂直写头。一种磁写头具有构造为优化写场强度和场梯度的拖尾屏蔽件。该写头包括:写极;形成在所述写极的拖尾边缘上的拖尾间隙层;以及形成在所述非磁间隙层上的拖尾磁屏蔽件使得所述非磁间隙层夹在所述拖尾磁屏蔽件和所述写极之间。所述拖尾磁屏蔽件具有设置在气垫面处的第一表面以及离开气垫面设置且相对于所述磁写极的所述拖尾边缘表面以20-75度的角度渐缩的第二表面。
申请公布号 CN101567192B 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN200910137721.6 申请日期 2009.04.27
申请人 日立环球储存科技荷兰有限公司 发明人 萧文千;弗拉迪米尔·尼基汀
分类号 G11B5/127(2006.01)I;G11B5/11(2006.01)I;G11B5/31(2006.01)I 主分类号 G11B5/127(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 冯玉清
主权项 一种用于垂直磁记录的写头,包括:磁写极,具有延伸到气垫面的末端,所述磁写极构造为沿垂直于所述气垫面的方向发出磁写场,所述磁写极具有沿垂直于所述气垫面且垂直于数据道方向的平面取向的拖尾边缘表面;非磁拖尾间隙层,与所述磁写极的所述拖尾边缘表面相邻;以及拖尾磁屏蔽件,与所述非磁拖尾间隙层相邻,从而所述非磁拖尾间隙层夹在所述拖尾磁屏蔽件与所述磁写极的所述拖尾边缘表面之间,所述拖尾磁屏蔽件具有位于所述气垫面处且平行于所述气垫面的第一表面以及与所述第一表面相反且相对于所述磁写极的所述拖尾边缘表面以20‑75度的角度形成的第二表面,所述拖尾磁屏蔽件的所述第二表面逐渐远离所述磁写极渐缩。
地址 荷兰阿姆斯特丹