| 发明名称 | 使用GaN LED芯片的发光器件 | ||
| 摘要 | 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。 | ||
| 申请公布号 | CN101606246B | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN200780044384.5 | 申请日期 | 2007.10.05 |
| 申请人 | 三菱化学株式会社 | 发明人 | 城市隆秀;冈川广明;平冈晋;岛敏彦;谷口浩一 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 汤春龙;李家麟 |
| 主权项 | 一种发光器件，其中下列(a)的GaN基LED芯片是倒装芯片安装的：(a)GaN基LED芯片，包括透光衬底以及在所述透光衬底上形成的GaN基半导体层，所述GaN基半导体层具有从所述透光衬底侧开始依次包括n型层、发光层和p型层的层叠结构，其中，正电极在所述p型层上形成，所述正电极包括：由氧化物半导体组成的透光电极和与所述透光电极电连接的正接触电极，以及所述正接触电极的面积小于所述p型层的上表面的面积的1/10。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||