发明名称 |
改善金属互联工艺中多孔介质薄膜密封性的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种改善金属互联工艺中多孔介质薄膜密封性的方法。根据本发明的金属互联工艺方法包括:在多孔介质薄膜密封性上淀积阻挡薄膜;在所述阻挡薄膜上淀积介质薄膜;在所述介质薄膜上淀积硬掩膜以及硬掩膜覆盖层;执行单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺以刻蚀所述介质薄膜、所述硬掩膜以及所述硬掩膜覆盖层,从而暴露多孔介质薄膜的至少一部分孔;以及执行NH3等离子体处理,从而在所述多孔介质薄膜中的暴露的孔中的侧壁表面形成封闭层;然后淀积金属互联层。本发明针对大马士革刻蚀后的多孔介质薄膜,在淀积TaN/Ta之前,增加NH3等离子体处理工艺,对裸露的多孔介质薄膜进行封孔,提高器件的可靠性。 |
申请公布号 |
CN102543859A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201210048744.1 |
申请日期 |
2012.02.28 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
张景春;顾梅梅;陈建维 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种改善金属互联中的多孔介质薄膜密封性的方法,其特征在于包括:以多层金属互联为例:在多孔介质薄膜上淀积阻挡薄膜;在所述阻挡薄膜上淀积介质薄膜;在所述介质薄膜上淀积硬掩膜以及硬掩膜覆盖层;执行单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺以刻蚀所述介质薄膜、所述硬掩膜以及所述硬掩膜覆盖层,从而暴露多孔介质薄膜的至少一部分孔;以及执行NH3等离子体处理,从而在所述多孔介质薄膜中的暴露的孔中的侧壁表面形成封闭层,然后淀积金属互联层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |