发明名称 改善金属互联工艺中多孔介质薄膜密封性的方法
摘要 本发明提供了一种改善金属互联工艺中多孔介质薄膜密封性的方法。根据本发明的金属互联工艺方法包括:在多孔介质薄膜密封性上淀积阻挡薄膜;在所述阻挡薄膜上淀积介质薄膜;在所述介质薄膜上淀积硬掩膜以及硬掩膜覆盖层;执行单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺以刻蚀所述介质薄膜、所述硬掩膜以及所述硬掩膜覆盖层,从而暴露多孔介质薄膜的至少一部分孔;以及执行NH3等离子体处理,从而在所述多孔介质薄膜中的暴露的孔中的侧壁表面形成封闭层;然后淀积金属互联层。本发明针对大马士革刻蚀后的多孔介质薄膜,在淀积TaN/Ta之前,增加NH3等离子体处理工艺,对裸露的多孔介质薄膜进行封孔,提高器件的可靠性。
申请公布号 CN102543859A 申请公布日期 2012.07.04
申请号 CN201210048744.1 申请日期 2012.02.28
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 张景春;顾梅梅;陈建维
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 陆花
主权项 一种改善金属互联中的多孔介质薄膜密封性的方法,其特征在于包括:以多层金属互联为例:在多孔介质薄膜上淀积阻挡薄膜;在所述阻挡薄膜上淀积介质薄膜;在所述介质薄膜上淀积硬掩膜以及硬掩膜覆盖层;执行单大马士革刻蚀工艺和/或双大马士革刻蚀工艺以刻蚀所述介质薄膜、所述硬掩膜以及所述硬掩膜覆盖层,从而暴露多孔介质薄膜的至少一部分孔;以及执行NH3等离子体处理,从而在所述多孔介质薄膜中的暴露的孔中的侧壁表面形成封闭层,然后淀积金属互联层。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号