| 发明名称 | 具有非均匀介电层厚度的IC封装 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有非均匀介电层的集成电路(IC)封装衬底。该IC封装衬底是介电层和金属层交替堆叠的多层封装衬底。封装衬底中的介电层具有不同的厚度。金属层可以是接地层、信号层或电源层。在封装衬底中较厚的介电层被放置在信号层和电源层之间。该较厚的介电层可以是封装衬底中的其他介电层的至少两倍厚。该较厚的介电层可以在封装衬底中提供较好的阻抗控制。 | ||
| 申请公布号 | CN102549739A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201080046179.4 | 申请日期 | 2010.10.08 |
| 申请人 | 阿尔特拉公司 | 发明人 | X·姜;H·史;H·刘;Y·谢 |
| 分类号 | H01L23/12(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种集成电路IC封装衬底，其具有与多个介电层交替堆叠的多个金属层，其中所述多个介电层中的至少一个具有与其余介电层基本不同的厚度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||