| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供第一半导体层，并在该第一半导体层中形成第一STI；在第一半导体层上确定选定区域，使该选定区域内第一半导体层下凹；在所述选定区域中，在第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中第二半导体层的材料与第一半导体层的材料不同。根据本发明，可以以简单的工艺形成第一半导体层中嵌入局域化第二半导体层的结构，并且可以进一步减少外延生长过程中的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN102543746A | 申请公布日期 | 2012.07.04 |
| 申请号 | CN201010617447.5 | 申请日期 | 2010.12.31 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I;H01L29/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件的方法，包括：提供第一半导体层，并在该第一半导体层中形成第一STI；在第一半导体层上确定选定区域，使该选定区域内第一半导体层下凹；在所述选定区域中，在第一半导体层上外延生长第二半导体层，其中第二半导体层的材料与第一半导体层的材料不同。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||