发明名称 |
基于CMOS工艺实现的高速多选一复用器 |
摘要 |
本发明公开了一种基于CMOS工艺实现的高速多选一复用器,包括多个CML复用器单元和均衡器;均衡器包括若干个级联的均衡单元和一个CML缓冲单元,均衡单元包括两个均衡NMOS差分输入对晶体管,栅极分别连接前级差分放大输出信号、漏极分别输出均衡差分信号且分别通过一个第二电阻接电源、源极分别经一个第一恒流源接地,且两个均衡NMOS晶体管的源极之间还分别连接第一电容和第一电阻,CML缓冲单元将均衡差分信号整形后输出。本发明,采用CMOS标准工艺实现,成本优势明显,并且很容易跟其他的大规模数字电路进行集成,完全符合高速数据通信集成电路的高性能和低成本的发展趋势,另外,创造性地结合了均衡器技术,突破了带宽限制,满足了高速数据通信的要求。 |
申请公布号 |
CN102545883A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201210025526.6 |
申请日期 |
2012.02.06 |
申请人 |
烽火通信科技股份有限公司 |
发明人 |
秦大威 |
分类号 |
H03K19/094(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/094(2006.01)I |
代理机构 |
北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 |
代理人 |
魏殿绅;庞炳良 |
主权项 |
基于CMOS工艺实现的高速多选一复用器,其特征在于,包括多个CML复用器单元和均衡器;每个所述CML复用单元均具有一个逻辑选通开关,某一个所述逻辑选通开关收到使能信号,则具有该逻辑选通开关的CML复用单元对接收到的一路差分输入信号放大为差分放大输出信号输出;所述均衡器包括若干个级联的均衡单元和一个CML缓冲单元,所述均衡单元包括两个均衡NMOS差分输入对晶体管,所述两个NMOS差分输入对晶体管的栅极分别连接所述前级差分放大输出信号、漏极分别输出均衡差分信号且分别通过一个第二电阻接电源、源极分别经一个第一恒流源接地,且所述两个均衡NMOS差分输入对晶体管的源极之间还分别连接第一电容和第一电阻,所述第一电容与所述第一电阻并联;所述CML缓冲单元将所述均衡差分信号整形后输出。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市东湖开发区关东科技园东信路5号 |