发明名称 |
具有寄生电容补正结构的薄膜晶体管及用该薄膜晶体管的液晶显示器 |
摘要 |
本发明提供一种具有寄生电容补正结构的薄膜晶体管及用该薄膜晶体管的液晶显示器,该薄膜晶体管包括:栅极、设于栅极上的绝缘层、设于绝缘层上的第一半导体硅层、设于第一半导体硅层上的源极、及漏极,所述漏极分别部分设于所述绝缘层与第一半导体硅层上,该漏极与栅极之间具有隔着绝缘层而重叠的第一重叠区域及隔着第一半导体硅层与绝缘层而重叠的第二重叠区域,第一重叠区域及第二重叠区域分别产生第一寄生电容与第二寄生电容,该薄膜晶体管还设有一补正结构,当该漏极相对栅极偏移时,该补正结构使得第一重叠区域面积与第二重叠区域面积保持不变。本发明薄膜晶体管通过在漏极下方增设或挖除部分半导体硅层形成补正结构来补正寄生电容,进而保证馈通电压的稳定,且结构简单,易实现。 |
申请公布号 |
CN102544110A |
申请公布日期 |
2012.07.04 |
申请号 |
CN201210073178.X |
申请日期 |
2012.03.19 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
侯鸿龙;李佳育 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市德力知识产权代理事务所 44265 |
代理人 |
林才桂 |
主权项 |
一种具有寄生电容补正结构的薄膜晶体管,其特征在于,包括:栅极、设于栅极上的绝缘层、设于绝缘层上的第一半导体硅层、设于第一半导体硅层上的源极、及漏极,所述漏极分别部分设于所述绝缘层与第一半导体硅层上,该漏极与栅极之间具有隔着绝缘层而重叠的第一重叠区域及隔着第一半导体硅层与绝缘层而重叠的第二重叠区域,第一重叠区域及第二重叠区域分别产生第一寄生电容与第二寄生电容,该薄膜晶体管还设有一补正结构,当该漏极相对栅极偏移时,该补正结构使得第一重叠区域面积与第二重叠区域面积保持不变。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |